Okvara podatkov v DDR3 zaradi vpliva sosednjih celic |
|
Slo-Tech
|
|
Avtor Matej Huš
|
|
četrtek, 25. december 2014 ob 16:42 |
Raziskovalci s Carneige Mellon University (CMU) in iz Intelovih laboratorijev so ugotovili, da je večina pomnilniških modulov DDR3 ranljiva na tako imenovano row hammer napako (Intelov patentirani izraz). Gre za posledico dizajna in miniaturizacije pomnilniških celic na čipih in ne programsko ranljivost. Problem je poznan že nekaj časa, šele nedavno pa se je pokazala njegova razširjenost in možnost zlorabe za napade iz virtualk.
|
